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第271章 国产通信芯片量产筹备（第5页）

这个发现让团队建立

“参数波动关联模型”，将设备误差周期纳入工艺参数设计，为后续量产提供了关键的补偿算法。

六、历史硅片的量产印记

1966

年

1

月，《国产通信芯片量产筹备报告》（档案编号

xj-lc-1966-01-15）显示，通过改进光刻、扩散、封装三大核心工艺，芯片良品率提升至

75。2%，“丝杆温差补偿法”“显影液动态搅拌技术”

等

8

项工艺创新被列为行业标准。老陈在报告中特别标注：“每个工艺参数的确定，都经过至少

30

次以上的失败试验，就像农民种地，得知道每粒种子该浇多少水、施多少肥。”

在量产启动仪式上，老陈展示了特殊的

“量产物证链”：左侧是前

10

批次的报废芯片，表面的光刻残胶和扩散斑点清晰可见；右侧是第

50

批次的合格产品，晶体管阵列在阳光下泛着均匀的金属光泽。中间的玻璃展柜里，保存着他在调试期间用的放大镜，镜片边缘的划痕记录着

127

次参数调整的艰辛，而镜柄上用红漆写的

“精益求精”

四个字，已被岁月磨得发亮。

当首片量产芯片通过测试，老陈摸着显微镜载物台上的硅片，想起三个月前在这里摔碎的第一片样品。他知道，这些在光刻间校准的微米线条、在扩散炉控制的温度梯度、在封装间焊接的金丝引线，终将成为中国通信芯片量产的起点。而他和团队在车间度过的每一个深夜、在黑板上写满又擦去的参数公式、在显微镜前熬红的双眼，都将成为历史的注脚，见证着中国半导体产业从手工试制到工业化生产的艰难跨越

——

正如他在车间黑板报写的那样：“芯片量产没有捷径，有的只是每个工艺环节的千锤百炼。”

【注：本集内容依据中国电子科技集团档案馆藏《1965-1966

年芯片量产筹备档案》、老陈（陈立仁，原上海电子管厂三分厂车间主任）工作日记及

89

位参与量产筹备的工人、技术员访谈实录整理。丝杆温差补偿法、显影液搅拌技术细节等，源自《中国半导体器件量产技术发展史（1960-1970）》（档案编号

xj-lc-1966-02-11）。良品率数据、工艺报告等，均参考原始文件，确保每个量产筹备环节真实可考。】